三星 HBM4 晶片據傳進入 $NVDA 認證最終階段，預計明年 2 月量產

據 Bloomberg 報導，三星 正接近 $NVDA 的 HBM4 AI 記憶體晶片認證，這是其挑戰行業領導者 海力士 與 $MU 的關鍵一步。

知情人士透露，三星在 9 月提供初步樣品後，現已進入最終資格認證階段。公司計劃於明年 2 月開始量產 HBM4 晶片，隨後啟動出貨，儘管具體時程尚未最終敲定。

市場對三星成為 $NVDA 下一代 Rubin 處理器供應商寄予厚望。

由於全球需求預計將超過供應，本季度 AI RAM 價格預計將較 2025 年第四季上漲超過 50%。